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產業 | 湖南半導體技術攻關取得突破,研制裝備實現國產化!

來源:高新院 achie.org 日期:2023-07-28 點擊:

  從湖南省科技廳獲悉,2021年度湖南省十大技術攻關項目中的“第三代半導體核心裝備國產化關鍵技術攻關”“8英寸集成電路成套裝備”2個項目,均在7月25日順利通過綜合驗收。
 
  “第三代半導體核心裝備國產化關鍵技術攻關”項目由中國電子科技集團公司第四十八研究所承擔。項目突破了6英寸SiC(碳化硅)外延生長、高溫高能離子注入機工藝性能、產能、穩定性、可靠性提升等關鍵技術,實現了6英寸SiC外延生長設備、SiC高溫高能離子注入機國產化與工程化,設備滿足規模化量產工藝要求,并具備產業化應用能力。據悉,研制設備已成功在國內第三代半導體頭部用戶上線應用。
 
  “8英寸集成電路成套裝備”項目由中國電子科技集團公司第四十八研究所和湖南楚微半導體科技有限公司共同承擔。項目通過國產裝備、工藝和產品協同創新,突破了立式爐管、硅外延設備等關鍵技術攻關,完成了工藝驗證,并實現了產業化生產。項目已完成43臺(套)國產核心工藝裝備上線驗證,整線工藝裝備國產化率達95%,目前生產線已達到2萬片/月生產能力,芯片良品率達98%。
 
  本文來自【華聲在線】,僅代表作者觀點。


 

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2023-07-28 來源:高新院 achie.org 點擊:

  從湖南省科技廳獲悉,2021年度湖南省十大技術攻關項目中的“第三代半導體核心裝備國產化關鍵技術攻關”“8英寸集成電路成套裝備”2個項目,均在7月25日順利通過綜合驗收。
 
  “第三代半導體核心裝備國產化關鍵技術攻關”項目由中國電子科技集團公司第四十八研究所承擔。項目突破了6英寸SiC(碳化硅)外延生長、高溫高能離子注入機工藝性能、產能、穩定性、可靠性提升等關鍵技術,實現了6英寸SiC外延生長設備、SiC高溫高能離子注入機國產化與工程化,設備滿足規模化量產工藝要求,并具備產業化應用能力。據悉,研制設備已成功在國內第三代半導體頭部用戶上線應用。
 
  “8英寸集成電路成套裝備”項目由中國電子科技集團公司第四十八研究所和湖南楚微半導體科技有限公司共同承擔。項目通過國產裝備、工藝和產品協同創新,突破了立式爐管、硅外延設備等關鍵技術攻關,完成了工藝驗證,并實現了產業化生產。項目已完成43臺(套)國產核心工藝裝備上線驗證,整線工藝裝備國產化率達95%,目前生產線已達到2萬片/月生產能力,芯片良品率達98%。
 
  本文來自【華聲在線】,僅代表作者觀點。